F1SYH‑TX1 — lot 56

Banque d'inductances de l'ATU1

Créer des pas d'inductance reproductibles et peu dissipatifs sur toute la HF.

7–8 bitsbanque

air/ferritecomparaison

Qmesuré

orientationcontrôlée

Bits L→Relais→Selfs→Bus RF→Réseau

Point critique : Les noyaux peuvent chauffer ou saturer sous courant RF élevé.

Détails techniques

Progression indicative :
0,1 / 0,22 / 0,47 / 1 / 2,2 / 4,7 / 10 µH
à adapter au domaine d'accord.

Choix :
- selfs air pour faibles valeurs
- poudre de fer pour valeurs élevées
- fil épais
- orientation à 90°
- relais proches
- mesure L/Q montée
- test d'échauffement sous RF.

Petites valeurs

Parasites dominants.

PCB compact.

Grandes valeurs

Q et saturation.

Noyau choisi.

Reproductibilité

Fiches de bobinage.

Valeurs réelles.

Spécifications

Bits	7–8
Technologies	air/poudre fer
Mesure	L/Q
Puissance	10 puis 100 W
Orientation	90°

Repères

Une self adaptée à 80 m peut être mauvaise sur 10 m

Le firmware utilise les valeurs mesurées

Procédure

Définir pas.

Bobiner échantillons.

Mesurer L/Q.

Choisir supports.

Assembler 3 bits.

Tester RF.

Étendre banque.

Tester thermique.

Validation : les valeurs mesurées et les écarts sont consignés avant de poursuivre.