F1SYH‑TX1 — lot 56

Banque de condensateurs de l'ATU1

Créer une progression binaire de capacités RF haute tension avec faible perte.

7–8 bitsbanque

C0G/micatechnologie

haute tensionmarge

déchargeprévue

Bits C→Relais→Bus RF→Décharge→Réseau L

Point critique : Un condensateur adapté en tension DC peut ne pas supporter le courant RF.

Détails techniques

Exemple de progression :
10, 22, 47, 100, 220, 470, 1000 pF
ou série adaptée au domaine visé.

Règles :
- C0G/NP0 ou mica argenté
- tension et courant RF dimensionnés
- relais à faible capacité parasite
- pistes larges et courtes
- résistances de décharge
- orientation réduisant les couplages
- mesure de la capacité totale réelle par combinaison.

Progression

Quasi binaire.

Tolérances mesurées.

Relais

Parasitages inclus.

Contacts adaptés.

Mesure

Capacité totale avec PCB.

Table firmware réelle.

Spécifications

Bits	7–8
Technologie	C0G/mica
Tension	selon puissance
Décharge	résistances
Mesure	combinaisons

Repères

La capacité parasite devient significative sur les petits pas

Stocker les valeurs mesurées, pas seulement nominales

Procédure

Choisir progression.

Acheter composants.

Mesurer individuels.

Assembler 3 bits.

Tester relais.

Étendre banque.

Mesurer toutes combinaisons.

Créer table réelle.

Validation : les valeurs mesurées et les écarts sont consignés avant de poursuivre.