Émetteur-récepteur HF — magnétisme large bande

Adaptation d’impédance et transformateurs HF

Relier correctement les faibles impédances du push-pull à la sortie 50 Ω en maîtrisant le matériau, le rapport de spires, le flux et les pertes.

50 ΩCharge normalisée
Rapport d’impédance
BN-43 / 61Exemples de matériaux
Push-pullSymétrie importante

Chaîne fonctionnelle

Drain APrimaire bifilairePoint milieu alimentationDrain BSecondaireBalun / coaxialFiltre passe-basCharge 50 Ω
Sécurité : Un transformateur qui présente un bon ROS à faible niveau peut saturer ou chauffer à forte puissance. La validation doit se faire progressivement sous puissance réelle.

Calcul du rapport

Le rapport d’impédance idéal est le carré du rapport de spires. Un rapport 1:4 en impédance correspond à un rapport 1:2 en nombre de spires.

L’impédance optimale vue par les transistors dépend de la tension d’alimentation, de la puissance, du mode de fonctionnement et du modèle de transistor.

Les capacités parasites, inductances de fuite et pertes du noyau rendent le comportement réel différent du calcul idéal.

Choix du matériau

Un matériau ferrite adapté aux fréquences basses n’est pas forcément optimal à 30 MHz. La documentation du fabricant du noyau doit guider le choix.

Le noyau doit supporter le flux sans échauffement excessif. Plusieurs noyaux empilés ou un volume magnétique plus important peuvent être nécessaires.

Les fils doivent être courts, réguliers et suffisamment isolés pour la tension RF présente.

Validation pratique

Mesurer le transformateur seul avec résistances de terminaison avant de connecter les transistors.

Contrôler le ROS, la perte d’insertion, la symétrie et l’échauffement sur toute la bande utile.

Après montage du PA, vérifier que les deux branches partagent correctement courant et puissance.

Formules et repères

Zsecondaire / Zprimaire = (Nsecondaire / Nprimaire)²
Pour une approximation push-pull : Rcharge optimale dépend de VDD² / Pout
La puissance dissipée dans le noyau augmente avec le flux, la fréquence et le volume soumis.

Règles de mesure

  • Utiliser une charge fictive 50 Ω dimensionnée pour la puissance et la durée.
  • Documenter les atténuateurs et limites d’entrée des instruments.
  • Commencer au niveau minimal puis augmenter par paliers.
  • Mesurer courant, puissance, spectre et température simultanément.
  • Conserver une marge par rapport aux limites absolues.

Procédure recommandée

Définir l’impédance recherchée côté transistor.
Calculer un premier rapport de spires.
Choisir le matériau et la taille de noyau.
Réaliser un prototype très court et symétrique.
Mesurer à faible niveau sur NanoVNA avec résistances adaptées.
Corriger le nombre de spires ou le câblage.
Tester par paliers de puissance sur charge fictive.
Contrôler l’échauffement après plusieurs minutes.
Critère de passage : ne passer à l’étape suivante que lorsque les valeurs mesurées sont stables, reproductibles et consignées.