F1SYH‑TX1 — chaîne TX détaillée

PA 10 W RD16HHF1

Amplifier le signal SSB/CW jusqu’à 10 W avec marge de linéarité et protections locales.

RD16HHF1final

13,8 Vdrain

10 Wsortie nominale

classe ABfonctionnement

Driver→Adaptation entrée→RD16HHF1→Transformateur sortie→LPF→Coupleur

Point critique : Les nombres de spires et rapports de transformation seront figés après mesure des ferrites disponibles et du transistor réel.

Schéma textuel

PA_IN ─ réseau d’entrée 50 Ω ─ gate RD16HHF1
Gate :
BIAS_PA ─ Rg 47 Ω ─ gate
Rpd 10 kΩ gate→GND
Drain :
13V8_PA ─ RFC / transformateur large bande ─ drain
Sortie drain ─ transformateur large bande ─ LPF
Source directement au plan de masse par plusieurs vias.

Découplage drain :
1000 µF + 10 µF + 100 nF, plus ferrite/RFC local.

Entrée

Résistance gate-stop au plus près du transistor.

Adaptation mesurée au VNA à faible niveau.

Sortie

Transformateur conçu pour 10 W nominal.

Le LPF suit immédiatement le PA.

Thermique

Montage sur dissipateur.

Sonde thermique proche du boîtier.

Nomenclature

Réf.	Description	Qté
Q1	RD16HHF1	1
Rg	47 Ω non inductive	1
Rpd	10 kΩ	1
T entrée/sortie	Ferrites adaptées	2
Découplage	1000 µF + 10 µF + 100 nF	lot
Dissipateur	Rθ adapté	1

Repères

Puissance nominale limitée à 10 W

Réglage sur charge 50 Ω uniquement

Aucune valeur de transfo figée sans ferrite réelle

Mise en service

Monter le transistor sur dissipateur.

Vérifier gate à 0 V.

Régler le bias sans RF.

Injecter quelques milliwatts.

Mesurer 1 W.

Mesurer 5 W.

Mesurer 10 W.

Vérifier IMD et température.

Validation : le spectre, le courant et la température sont consignés avant de raccorder l’étage suivant.